يحدد منحنى I-V القيم المختلفة للتيار والجهد المخرجين من اللوح الكهروضوئي في كل لحظة، وعند عدم وجود مقاومة في اللوح الكهروضوئي، يكون التيار في أعلى قيمة ويسمى تيار القصر Isc، وفي هذه الحالة يكون الجهد مساوياً الصفر (0)، وتكون الاستطاعة معدومة.
العوامل المؤثرة على منحنى I-V:
أولاً، مستوى الإشعاع:
تختلف إنتاجية اللوح الكهروضوئي باختلاف كمية الإشعاع الساقط عليه، وتتناسب شدّة التيار طردياً مع كمية الإشعاع الشمسي، حيث تقل قيمة التيار إلى القيمة المحددة في اللوحة الإسمية للّوح عند شدّة إشعاع التيار تساوي 1000W/m2، أما بالنسبة للجهد فإن التغيير الحاصل بتغيير الإشعاع يكون قليل، بالتالي فإنه عند غياب الإشعاع لسبب ما لن يتأثر الجهد بشكل كبير، أما التيار سوف تنخفض قيمته بشكل مباشر وتتأثر قيمة الطاقة المنتجة.
ثانياً، الحرارة:
إن الإشعاع الشمسي الساقط على الخلايا الكهروضوئية لا يتم امتصاصه بالكامل، وبما أن الطاقة لا تفنى ولا تستحدث من العدم بل تتحول من شكل إلى آخر (المبدأ الفيزيائي في حفظ الطاقة)، فإن قسم من هذا الإشعاع يتحول إلى ضياعات حرارية تسبب ارتفاع درجة حرارة الخلايا الكهروضوئية.
*معامل الامتلاء Fill Factor:
هو أحد المعاملات التي يمكن الحصول عليها من منحنى I-V، ويعتبر مؤشراً مهماً لجودة الخلايا الكهروضوئية.
يرتبط معامل الامتلاء بقيمة المقاومة التفرعية والتسلسلية، ويُحسب من خلال قسمة طاقة اللوح التشغيلية العظمى على طاقة اللوح (النظرية مستحيلة التحقيق عملياً)، والتي تساوي جداء قيمة جهد الدارة المفتوحة مع تيار القصر.
كلما كانت قيمة المعامل أقرب إلى 1 (الواحد)، كلما كان منحنى I-V أفضل حيث أن قيمة الواحد تعني أن المنحنى يصبح مستطيل، ولكن هذا غير ممكن عملياً بسبب خسائر مقاومات التسلسل والتفرع.
بالنسبة للألواح ذات خلايا السيليكون البلوري، تكون قيمة معامل الامتلاء ضمن مجال 0.75 حتى 0.85.
أما بالنسبة للألواح بتقنية الأغشية الرقيقة تكون قيمته ضمن مجال 0.55 حتى 0.75.
